CÁRDENAS, J. R. AVANCES EN LA APLICACIÓN DE POTENCIALES EFECTIVOS EN EL ESTUDIO DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS A NIVEL ATOMÍSTICO. Revista EIA, [S. l.], v. 12, n. 2, p. 35–43, 2016. DOI: 10.24050/reia.v12i2.960. Disponível em: https://revista.eia.edu.co/index.php/reveia/article/view/960. Acesso em: 24 nov. 2024.